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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • SMBJ11CTR-13图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • SMBJ11CTR-13
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  • 厂家MICROSEMI 
  • 封装SMBDO-214AA 
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  • 深圳市凯鑫跃电子有限公司

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  • 厂家Microsemi 
  • 封装SMB/DO-214AA 
  • 批号2025+PB 
  • 进口全新原装无铅房间现货
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  • 北京首天国际有限公司

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  • SMBJ11CTR-13
  • 数量66000 
  • 厂家Microsemi 
  • 封装SMB/DO-214AA 
  • 批号24+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量78800 
  • 厂家MICROSEMI-美高森美 
  • 封装DO-214 
  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 数量88000 
  • 厂家MICROSEMI/美高森美 
  • 封装DO-214AA 
  • 批号21+ 
  • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量18000 
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  • 香港元动力半导体有限公司

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  • 数量15317 
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SMBJ11E3产品参数
型号:SMBJ11E3
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:DO-214AA
包装说明:R-PDSO-J2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.62
最大击穿电压:14.9 V
最小击穿电压:12.2 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-J2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.38 W
最大重复峰值反向电压:11 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN
端子形式:J BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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