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| 型号: | SMBJ22 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD |
| 零件包装代码： | SMB |
| 包装说明： | R-PDSO-J2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.06 |
| 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL RECOGNIZED |
| 最大击穿电压： | 29.8 V |
| 最小击穿电压： | 24.4 V |
| 击穿电压标称值： | 27.1 V |
| 最大钳位电压： | 39.4 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压： | 22 V |
| 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | J BEND |
| 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 类别： | Diodes |
| Condition： | 10×1000us |
| PPK (W)： | 600 |
| VRWM (V) max.： | 22 |
| VBR (V) min.： | 24.4 |
| VBR (V) max.： | 29.8 |
| IR (uA) max.： | 1 |
| VC (V) max.： | 39.4 |
| Condition1_IPP (A)： | 15.2 |
| C (pF) max.： | - |
| AEC Qualified： | - |
| 最高工作温度： | 150 |
| 最低工作温度： | -55 |
| MSL等级： | - |
| 生命周期： | Active |
| 是否无铅： | Yes |
| 符合Reach： | Yes |
| 符合RoHS： | Yes |
| ECCN代码： | EAR99 |
| Package Outlines： | SMB |
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