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SMBJ350-C产品参数
型号:SMBJ350-C
生命周期:Contact Manufacturer
IHS 制造商:SECOS CORP
包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.67
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN
最大击穿电压:452.65 V
最小击穿电压:370.35 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压:350 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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