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| 型号: | SMBJ51AT |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.09 |
| 最大击穿电压： | 62.7 V |
| 最小击穿电压： | 56.7 V |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压： | 51 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
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