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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 厂家Vishay(威世) 
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家VISHAY-威世 
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  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 厂家VISHAY 
  • 封装DO-214A 
  • 批号新年份 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 厂家VISHAY 
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  • 香港元动力半导体有限公司

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SMBJ6.5CD-M3/H产品参数
型号:SMBJ6.5CD-M3/H
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:12 weeks
风险等级:1.58
Is Samacsys:N
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压:7.87 V
最小击穿电压:7.33 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W
最大重复峰值反向电压:6.5 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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