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SMBJ9.0AHM3_A/H产品参数
型号:SMBJ9.0AHM3_A/H
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.54
其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压:11.1 V
最小击穿电压:10 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:9 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
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