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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 湖人半导体(深圳)有限公司

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  • 深圳市创思克科技有限公司

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SMCJ9.0CE3产品参数
型号:SMCJ9.0CE3
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
零件包装代码:DO-214AB
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.48
Is Samacsys:N
最大击穿电压:12.2 V
最小击穿电压:10 V
击穿电压标称值:11.1 V
最大钳位电压:16.9 V
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AB
JESD-30 代码:R-PDSO-J2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.56 W
最大重复峰值反向电压:9 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN
端子形式:J BEND
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1
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