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SMDA12C-8产品参数
型号:SMDA12C-8
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:SOD
包装说明:R-PDSO-G14
针数:14
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.73
Is Samacsys:N
最小击穿电压:13.3 V
最大钳位电压:19 V
配置:COMMON BIPOLAR TERMINAL, 9 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G14
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:300 W
元件数量:9
端子数量:14
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:12 V
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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