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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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SMDB12C产品参数
型号:SMDB12C
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
零件包装代码:SOD
包装说明:R-PDSO-G8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.33
其他特性:UL RECOGNIZED
最小击穿电压:13.3 V
最大钳位电压:23.5 V
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小二极管电容:385 pF
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:800 W
元件数量:4
端子数量:8
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245
极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:12 V
最大反向电流:2 µA
子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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