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| 型号: | SMJ4256-15FVS |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ROCHESTER ELECTRONICS LLC |
| 包装说明： | QCCN, |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | PAGE |
| 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N18 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 12.32 mm |
| 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 |
| 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 110 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 256KX1 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 座面最大高度： | 2.18 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | NMOS |
| 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 7.24 mm |
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