SMMUN2211LT1G产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

晶体管类型：NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）：10 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）：10 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：35 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

功率 - 最大值：246mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

基本零件编号：MMUN22**L

标准包装：3,000

其它名称：SMMUN2211LT1G-ND SMMUN2211LT1GOSTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）