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SN65220DBVR产品参数
型号:SN65220DBVR
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G6
针数:178
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.37
其他特性:LOW CAPACITANCE
最大击穿电压:8 V
最小击穿电压:6.5 V
配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:MO-178AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:60 W
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.385 W
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:6 V
表面贴装:YES
技术:AVALANCHE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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