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SN7002N E6327产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3

制造商:Infineon Technologies

系列:SIPMOS®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 26µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.5nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):45pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):360mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-SOT23-3

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装:3,000

其它名称:SN7002N E6327-ND SN7002NE6327 SN7002NE6327XT SP000014634

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