SN7002N E6327产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3

制造商：Infineon Technologies

系列：SIPMOS®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 26µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：45pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-SOT23-3

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

其它名称：SN7002N E6327-ND SN7002NE6327 SN7002NE6327XT SP000014634