欢迎访问ic37.com |
会员登录免费注册
发布采购
型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
  •  
  • 图片
  • 型号
  • 供货商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
  •  
  • SN7002NE6433
  • 八零友创集团

       该会员已使用本站14年以上

  • 数量-
  • 厂家-
  • 封装-
  • 批号-
  • -
  • 和我即时交谈 和我即时交谈
  • 0755-88917797/23949209 和我即时交谈 和我即时交谈
更多

    SN7002NE6433相关文章

配单直通车
更多

SN7002NH6327XTSA1产品参数和技术文档

SN7002NH6327XTSA1产品图

SN7002NH6327XTSA1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.03841
$115.23
6,000
0.03340
$200.40
15,000
0.02839
$425.85
30,000
0.02672
$801.60
75,000
0.02505
$1,878.75
150,000
0.02171
$3,256.50

SN7002NH6327XTSA1产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3

制造商:Infineon Technologies

系列:汽车级,AEC-Q101,SIPMOS®

包装:带卷(TR)

零件状态:Digi-Key 停产

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 26µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.5nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):45pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):360mW(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-SOT23-3

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装:3,000

其它名称:SN7002NH6327XTSA1TR SP000702638

  •  
  • 供货商
  • 型号*
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。