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TI SN74LVC1G08DCKR
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SINGLE 2-INPUT POSITIVE-AND GATE
单路2输入正与门
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TI SN74LVC1G08DCKR
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栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
TI SN74LVC1G08DCKRE4
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单路2输入正与门
栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
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单路2输入正与门
栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
TI SN74LVC1G08DCKRE4
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单路2输入正与门
栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
TI SN74LVC1G08DCKRE4
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单路2输入正与门
栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
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栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
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栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
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SN74LVC1G08DCKR详细参数

Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
零件包装代码
SOIC
包装说明
TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数
5
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.39.00.01
风险等级
0.83
系列
LVC/LCX/Z
JESD-30 代码
R-PDSO-G5
JESD-609代码
e4
长度
2 mm
负载电容(CL)
50 pF
逻辑集成电路类型
AND GATE
最大I(ol)
0.032 A
湿度敏感等级
1
功能数量
1
输入次数
2
端子数量
5
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP5/6,.08
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法
TR
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3.3 V
最大电源电流(ICC)
0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup
4.5 ns
传播延迟(tpd)
8 ns
认证状态
Not Qualified
施密特触发器
NO
座面最大高度
1.1 mm
子类别
Gates
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
1.65 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
AUTOMOTIVE
端子面层
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
1.25 mm
Base Number Matches
1
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