SPB11N60C3ATMA1产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2

制造商：Infineon Technologies

系列：CoolMOS™

包装：带卷（TR）

零件状态：不適用於新設計

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：60nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1200pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO263-3-2

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：1,000

其它名称：SP000013519 SPB11N60C3 SPB11N60C3ATMA1TR SPB11N60C3INTR SPB11N60C3INTR-ND SPB11N60C3XT SPB11N60C3XTINTR SPB11N60C3XTINTR-ND