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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 厂家NEC-日本电气 
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  • 批号▉▉:2年内 
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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 数量1580 
  • 厂家Infineon Technologies 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量3000 
  • 厂家INFINEON 
  • 封装TO263-7 
  • 批号24+ 
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  • 香港元动力半导体有限公司

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  • 数量10167 
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SPB160N04S2L03DTMA1产品参数
型号:SPB160N04S2L03DTMA1
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.69
其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):810 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):160 A
最大漏源导通电阻:0.0037 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G6
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):640 A
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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