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SPB80P06P产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO263-3-2

制造商:Infineon Technologies

系列:SIPMOS®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 64A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):173nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5033pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):340W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-TO263-3-2

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:1,000

其它名称:SP000012841 SPB80P06PT

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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