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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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SPD04N60S5BTMA1产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3

制造商:Infineon Technologies

系列:CoolMOS™

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):950 毫欧 @ 2.8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):22.9nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):580pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):50W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-TO252-3

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:SP000313946

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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