SPD07N20产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 7A TO-252

详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3

制造商：Infineon Technologies

系列：SIPMOS®

包装：带卷（TR）

零件状态：Digi-Key 停产

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：31.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：530pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：40W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO252-3

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

其它名称：SP000077394 SPD07N20-ND SPD07N20INTR SPD07N20NT SPD07N20XT

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）