SPI10N10L产品参数

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK

详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1

制造商：Infineon Technologies

系列：SIPMOS®

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：154 毫欧 @ 8.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 21µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：22nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：444pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：50W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO262-3-1

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

标准包装：500

其它名称：SP000013850 SPI10N10LX