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SPI35N10产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK

详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3-1

制造商:Infineon Technologies

系列:SIPMOS®

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):44 毫欧 @ 26.4A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 83µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):65nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1570pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):150W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:PG-TO262-3-1

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装:500

其它名称:SP000013852 SPI35N10X

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