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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市欧立现代科技有限公司

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SPN02N60C3产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4

制造商:Infineon Technologies

系列:CoolMOS™

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):400mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 1.1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 80µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):13nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):200pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.8W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-SOT223-4

封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA

标准包装:1,000

其它名称:SP000101878 SPN02N60C3XT

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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