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SPP80P06PHXKSA1产品参数和技术文档

SPP80P06PG产品图

SPP80P06PHXKSA1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
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3.74000
$3.74
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3.34200
$33.42
100
2.74060
$274.06
500
2.21922
$1,109.61
1,000
1.87163
$1,871.63

SPP80P06PHXKSA1产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET P-CH 60V 80A TO-220

详细描述:通孔 P 沟道 60V 80A(Tc) 340W(Tc) PG-TO220-3-1

制造商:Infineon Technologies

系列:SIPMOS®

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 64A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):173nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5033pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):340W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:PG-TO220-3-1

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:500

其它名称:SP000441774 SPP80P06P G SPP80P06P G-ND SPP80P06P H SPP80P06P H-ND SPP80P06PH

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