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  • 八零友创集团

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  • SQ1912EH-T1_GE3
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家VISHAY(威世) 
  • 封装SC-70-6(SOT-363) 
  • 批号21+ 
  • 原厂原装正品SQ1912EH-T1_GE3
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SQ1912EH-T1_GE3产品参数和技术文档

SQ1912EH-T1_GE3产品图

SQ1912EH-T1_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
0.55000
$0.55
10
0.43500
$4.35
100
0.29850
$29.85
500
0.20468
$102.34
1,000
0.15351
$153.51

SQ1912EH-T1_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:Digi-Reel®

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):800mA(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):280 毫欧 @ 1.2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1.15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):75pF @ 10V

功率 - 最大值:1.5W

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-70-6

标准包装:1

其它名称:SQ1912EH-T1_GE3DKR

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