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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 深圳市凯信扬科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市柯氏贸易有限公司

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  • 深圳市金嘉伦科技有限公司

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SQ2319ADS-T1_GE3产品参数和技术文档

SQ2319ADS-T1_GE3产品图

SQ2319ADS-T1_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.25668
$770.04

SQ2319ADS-T1_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 4.6A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):75 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):620pF @ 20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装:3,000

其它名称:SQ2319ADS-T1_GE3TR

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