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SQ4401EY-T1_GE3产品参数和技术文档

SQ4330EY-T1-GE3产品图

SQ4401EY-T1_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
1.33515
$3,337.88

SQ4401EY-T1_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 40V 17.3A

详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 17.3A(Tc) 7.14W(Tc) 8-SO

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 10.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):115nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4250pF @ 20V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):7.14W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:8-SO

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装:2,500

其它名称:SQ4401EY-T1-GE3 SQ4401EY-T1-GE3-ND SQ4401EY-T1_GE3TR

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