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SQD40131EL_GE3产品参数和技术文档

SQD400A60N产品图

SQD40131EL_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
1.47000
$1.47
10
1.30000
$13.00
100
1.02730
$102.73
500
0.79670
$398.35
1,000
0.62897
$628.97

SQD40131EL_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 50A(Tc) 62W(Tc) TO-252AA

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:Digi-Reel®

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):11.5 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):115nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6600pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):62W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252AA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:1

其它名称:SQD40131EL_GE3DKR

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