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SQD50N04-09H-GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO252

详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:剪切带(CT)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):9 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):76nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4240pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):83W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:1

其它名称:SQD50N04-09H-GE3CT

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