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  • 八零友创集团

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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 数量12000 
  • 厂家Vishay Siliconix 
  • 封装PowerPAK® SO-8 
  • 批号18/19+ 
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家VISHAY(威世) 
  • 封装PowerPAK-SO-8-4 
  • 批号21+ 
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SQJ476EP-T1_GE3产品参数和技术文档

SQJ476EP-T1_GE3产品图

SQJ476EP-T1_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
0.94000
$0.94
10
0.82100
$8.21
100
0.63320
$63.32
500
0.46906
$234.53
1,000
0.37525
$375.25

SQJ476EP-T1_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 100V 23A POWERPAKSO

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK® SO-8

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):38 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):700pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):45W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8

封装/外壳:PowerPAK® SO-8

标准包装:1

其它名称:SQJ476EP-T1_GE3CT

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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