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SQJ962EP-T1产品参数
型号:SQJ962EP-T1
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.84
雪崩能效等级(Eas):5 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):8 A
最大漏源导通电阻:0.06 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G4
元件数量:2
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):32 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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