SQJ968EP-T1_GE3产品参数

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23.5A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

制造商：Vishay Siliconix

系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：23.5A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：33.6 毫欧 @ 4.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：714pF @ 30V

功率 - 最大值：42W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TA）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PowerPAK® SO-8 Dual

标准包装：3,000

其它名称：SQJ968EP-T1_GE3TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）