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SQJ968EP-T1_GE3产品参数和技术文档

SQJ964EP产品图

SQJ968EP-T1_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.46368
$1,391.04

SQJ968EP-T1_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23.5A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23.5A(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):33.6 毫欧 @ 4.8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):714pF @ 30V

功率 - 最大值:42W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TA)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8 Dual

标准包装:3,000

其它名称:SQJ968EP-T1_GE3TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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