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SQP100N04-3M6_GE3产品参数和技术文档

SQN3110产品图

SQP100N04-3M6_GE3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
500
1.15920
$579.60

SQP100N04-3M6_GE3产品参数

品牌:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 120W(Tc) TO-220AB

制造商:Vishay Siliconix

系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):135nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):120W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220AB

封装/外壳:TO-220-3

标准包装:500

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