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| 型号: | SQSA80ENW-T1_GE3 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| Factory Lead Time： | 16 weeks 1 day |
| 风险等级： | 1.75 |
| Samacsys Description： | VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, POWERPAK 1212-8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 24.2 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-F5 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A |
| 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
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