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SSM3K56CT,L3F产品参数和技术文档

SSM3K56CT产品图

SSM3K56CT,L3F产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
10,000
0.07544
$754.40

SSM3K56CT,L3F产品参数

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET NCH 20V 800MA CST3

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 800mA(Ta) 500mW(Ta) CST3

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage

系列:U-MOSVII-H

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):800mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):235 毫欧 @ 800mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):1nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):55pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):500mW(Ta)

工作温度:150°C(TA)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:CST3

封装/外壳:3-XFDFN

标准包装:10,000

其它名称:SSM3K56CT,L3F(B SSM3K56CT,L3F(T SSM3K56CTL3FTR

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