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  • 香港元动力半导体有限公司

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SSM5H06FE产品参数
型号:SSM5H06FE
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数:5
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.38
Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.1 A
最大漏极电流 (ID):0.1 A
最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F5
元件数量:1
端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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