SSM5H12TU(TE85L,F)产品参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.9A（Ta） 500mW（Ta） UFV

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

系列：U-MOSIII

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4V

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：133 毫欧 @ 1A，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：1.9nC @ 4V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：123pF @ 15V

FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：UFV

封装/外壳：6-SMD（5引线），扁引线

标准包装：3,000

其它名称：SSM5H12TU(TE85LF)TR SSM5H12TUTE85LF