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SSM6N70产品参数
型号:SSM6N70
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
Base Number Matches:1
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