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  • 深圳市宏世佳电子科技有限公司

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  • 全新原厂原装产品、公司现货销售
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市英德州科技有限公司

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  • 厂家Microchip(微芯) 
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  • 批号2年内 
  • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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  • 深圳市欧瑞芯电子有限公司

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配单直通车
SST26VF032BA-104I/SM产品参数
型号:SST26VF032BA-104I/SM
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROCHIP TECHNOLOGY INC
包装说明:SOP, SOP8,.3
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:14 weeks
风险等级:1.68
Samacsys Description:Flash Memory 32Mb 2.7V-3.6V SQI Flash Memory
最大时钟频率 (fCLK):104 MHz
数据保留时间-最小值:100
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
长度:5.26 mm
内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:8
字数:4194304 words
字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:4MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:2.03 mm
串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000045 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
类型:NOR TYPE
宽度:5.25 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1
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