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SST29EE010-70-4I-EHE产品参数
型号:SST29EE010-70-4I-EHE
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
零件包装代码:TSOP1
包装说明:8 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142BD, TSOP1-32
针数:32
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.46
Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns
命令用户界面:NO
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e3
长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小:128 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V
编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00005 A
子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:8 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1
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