SST29EE010-90-4C-EH 芯片概述
SST29EE010-90-4C-EH 是一款由公司 Silicon Storage Technology (SST) 生产的 EEPROM(电可擦可编程只读存储器)芯片,具有 1Mbit 的存储容量。该芯片以高速和高可靠性为设计目标,广泛应用于嵌入式系统、工业控制、消费电子及通信设备等领域。
详细参数
SST29EE010-90-4C-EH 的主要参数如下:
- 存储容量:1 Mbit (128 KB) - 存储类型:EEPROM - 数据接口:并行接口 - 编程时间:90ns - 擦写周期:100,000 次 - 电源电压:4.5V - 5.5V - 工作温度范围:-40°C 到 85°C - 封装类型:DFSOP (Dual Flat No-lead Small Outline Package) - 功耗:低功耗操作,读写时典型功耗为 50µA(静态功耗更低)
厂家、包装和封装
SST29EE010-90-4C-EH 由 SST(Silicon Storage Technology)制造,SST 是专注于非易失性存储器产品研发的公司。该芯片的包装形式为 DFSOP(Small Outline Plastic Package),尺寸较小,有助于节省PCB空间,同时适应当今微型化设计的需求。
引脚配置及电路图说明
引脚配置如下:
1. A0 – A16(地址引脚):用于选择存储器内的特定地址。 2. I/O0 – I/O7(数据引脚):用于数据的输入和输出。 3. CE(芯片使能):低电平有效,启用芯片。 4. OE(输出使能):低电平有效,允许数据输出。 5. WE(写使能):低电平有效,允许数据写入。 6. Vcc:电源引脚,连接到电源。 7. GND:接地引脚,通常接到 0V 电源。 8. A-电影和其他引脚(如 RESET):用于特殊操作。
电路图一般包括连接引脚与外围电路的关系,并展示如何通过控制各引脚来实现数据的读取和写入。使用时需遵循数据手册中提供的操作时序,以确保信号准确无误。
使用案例
嵌入式控制
SST29EE010-90-4C-EH 在嵌入式系统中经常用来存储程序代码和配置数据。例如,在一个微控制器设计中,工程师可以将关键的启动代码和参数存储在该芯片中。通过 SPI 或并行接口连接时,微控制器能迅速读取 EEPROM 中的信息,缩短启动时间。
消费电子设备
在家电产品如智能冰箱、洗衣机等设备中,SST29EE010-90-4C-EH 也起着重要作用。这类设备常常需要存储用户设置信息及操作历史,而 EEPROM 的可编程特性使得这一需求能够得到满足。
工业自动化
在工业自动化设备,如 PLC(可编程逻辑控制器)和传感器中,SST29EE010-90-4C-EH 可用于存储操作参数、故障日志和更新的固件程序。这种存储器的高耐用性使其适应恶劣的工业环境,确保长期稳定的性能。
运输和通信
在实现车载系统和无线通信设备中,SST29EE010-90-4C-EH 可以作为临时存储信息的媒介。芯片迅速的读写能力使得信息处理更加高效,提升了设备的响应速度。例如,在 GPS 设备中,实时导航数据和通行信息可以被快速存储和读取,从而提高导航精度。
设计和开发参考
在采用 SST29EE010-90-4C-EH 进行设计时,设计师需注意其电气特性和操作要求。通常,设计的 PCB 略需大于其实际区域,以便于后期散热和布局设计。而针对不同应用需求,在编程及擦除过程中的时序控制也必须严格遵循数据手册。
建议开发者还应考虑到串扰、地反射等电气干扰,尽量缩短信号走线长度,保证信号的完整性。此外,合理的电源设计也至关重要,应确保 Vcc 稳定在给定范围内,以避免对 EEPROM 的损坏。
SST29EE010-90-4C-EH 凭借其高速、可靠性和灵活性,在消费类电子、工业自动化和嵌入式系统等众多应用中都展现出强大的适用性。在此基础上,未来的研究及产品开发可以围绕进一步提升 EEPROM 性能和扩展应用场景进行深入探索。
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型号: | SST29EE010-90-4C-EH |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC |
零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | 8 X 20 MM, MO-142BD, TSOP1-32 |
针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.77 |
Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 90 ns |
命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
页面大小: | 128 words |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE |
宽度: | 8 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
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