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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 封装贴/插片 
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 封装PLCC 
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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 厂家SST 
  • 封装PLCC32 
  • 批号2024+ 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 封装原厂原装 
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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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SST39LF512-45-4C-NHE产品参数
型号:SST39LF512-45-4C-NHE
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MICROCHIP TECHNOLOGY INC
零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:7.95
Is Samacsys:N
最长访问时间:45 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e3
长度:13.97 mm
内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
部门数/规模:16
端子数量:32
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245
电源:3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.556 mm
部门规模:4K
最大待机电流:0.000015 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:MATTE TIN
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:40
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1
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