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| 型号: | SST39VF200A-70-4C-M1QE-T |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | MICROCHIP TECHNOLOGY INC |
| 包装说明： | FBGA, BGA48,6X11,20 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.61 |
| Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns |
| 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 部门数/规模： | 64 |
| 端子数量： | 48 |
| 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X11,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 部门规模： | 2K |
| 最大待机电流： | 0.00002 A |
| 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
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