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SST49LF008A-33-4C-NHE产品参数
型号:SST49LF008A-33-4C-NHE
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROCHIP TECHNOLOGY INC
零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数:32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.18
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=160632
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=160632
Samacsys PartID:160632
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/SST49LF008A-33-4C-NHE.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/SST49LF008A-33-4C-NHE.jpg
Samacsys Pin Count:32
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Plastic Leaded Chip Carrier
Samacsys Footprint Name:SST49LF008A-33-4C-NHE
Samacsys Released Date:2015-05-24 21:47:42
Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns
启动块:TOP
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e3
长度:13.97 mm
内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
部门数/规模:256
端子数量:32
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:1MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245
电源:3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.556 mm
部门规模:4K
最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.024 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:40
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1
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