SSU1N60BTU-WS产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK

详细描述：通孔 N 沟道 600V 900mA（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-PAK

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：管件

零件状态：不適用於新設計

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：900mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 450mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：215pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），28W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：I-PAK

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

标准包装：70

其它名称：SSU1N60BTU_WS SSU1N60BTU_WS-ND