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SSU1N60BTU-WS产品参数和技术文档

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价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
5,040
0.24359
$1,227.68

SSU1N60BTU-WS产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK

详细描述:通孔 N 沟道 600V 900mA(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-PAK

制造商:ON Semiconductor

系列:-

包装:管件

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):900mA(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):12 欧姆 @ 450mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):7.7nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):215pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),28W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I-PAK

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装:70

其它名称:SSU1N60BTU_WS SSU1N60BTU_WS-ND

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