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产品型号ST13005的概述

芯片ST13005的概述 ST13005 是一款广泛应用于电源管理领域的功率半导体器件,特别是用于开关电源和直流-直流转换器中。ST13005 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道场效应晶体管 (MOSFET),其设计理念是为了实现高效率、低导通电阻以及较高的开关频率,以满足现代电子设备在小型化、便携性以及低能耗方面的需求。 芯片ST13005的详细参数 ST13005 的主要技术参数包括: - 型式:N 沟道 MOSFET - 最大漏极-源极电压 (V_DS):30V - 最大漏极电流 (I_D):13A - 导通电阻 (R_DS(on)):约为0.20Ω - 热阻 (θJA):可达到 62°C/W - 门极阈值电压 (V_GS(th)):2V-4V - 最大功耗 (P_D):35W - 开关特性:具有较高的开关频率,可以在 100kHz 以上的频率下...

产品型号ST13005的Datasheet PDF文件预览

ST13005  
STB13005-1  
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING  
NPN POWER TRANSISTORS  
MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY  
NPN TRANSISTORS  
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS  
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR  
RELIABLEOPERATION  
VERY HIGH SWITCHING SPEED  
THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWER  
PACKAGEIN TUBE (SUFFIX ”-1”)  
3
3
2
1
2
APPLICATIONS:  
1
ELECTRONIC BALLASTSFOR  
FLUORESCENT LIGHTING  
TO-220  
I2PAK  
TO-262  
(Suffix ”-1”)  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES  
DESCRIPTION  
The devices are is manufactured using high  
voltage Multi Epitaxial Planar technology for high  
switching speeds and medium voltage capability.  
They use a Cellular Emitter structure with planar  
edge termination to enhance switching speeds  
while maintaining the wide RBSOA.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter-Base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
Value  
Unit  
V
700  
400  
V
9
V
4
A
ICM  
Collector Peak Current (tp < 5 ms)  
Base Current  
8
A
IB  
2
A
IBM  
Base Peak Current (tp < 5 ms)  
4
75  
A
o
Ptot  
Tstg  
Tj  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
oC  
oC  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
1/8  
January 1999  
ST13005 / STB13005-1  
THERMAL DATA  
Rthj-case Thermal Resistance Junction-case  
Max  
1.67  
oC/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
ICEV  
Collector Cut-off  
Current (VBE = -1.5V)  
VCE = 700V  
VCE = 700V  
1
5
mA  
mA  
Tcase = 100oC  
IEBO  
Emitter Cut-off  
Current (IC = 0)  
VEB = 9 V  
1
mA  
VCEO(sus) Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
(IB = 0)  
IC = 10 mA  
400  
V
VCE(sat)  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
IC = 1 A  
IC = 2 A  
IC = 4 A  
IB = 0.2 A  
IB = 0.5 A  
IB = 1 A  
0.5  
0.6  
1
V
V
VBE(sat)  
hFE  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
IC = 1 A  
IC = 2 A  
IB = 0.2 A  
IB = 0.5 A  
1.2  
1.6  
V
V
DC Current Gain  
IC = 1 A  
Group A  
Group B  
IC = 2 A  
VCE = 5 V  
15  
27  
8
32  
45  
40  
VCE = 5 V  
RESISTIVE LOAD  
Storage Time  
Fall Time  
ts  
tf  
IC = 2 A  
IB1 = -IB2 = 0.4 A  
VCC = 125 V  
1.5  
3.0  
µs  
µs  
0.2  
Tp = 30 µs  
Pulsed: Pulse duration = 300µs, dutycycle = 1.5 %  
Note : Product is pre-selected inDC current gain (GROUP A and GROUP B). STMicroelectronics reserves the right to ship either groups  
according to production availability. Please contact your nearest STMicroelectronics sales office for delivery details.  
2/8  
ST13005 / STB13005-1  
Safe Operating Areas  
Derating Curve  
DC Current Gain  
DC Current Gain  
Collector Emitter SaturationVoltage  
Base Emitter Saturation Voltage  
3/8  
ST13005 / STB13005-1  
InductiveFall Time  
InductiveStorage Time  
Resistive Fall Time  
Resistive Load Storage Time  
Reverse Biased SOA  
4/8  
ST13005 / STB13005-1  
Figure 1: Inductive Load Switching TestCircuit.  
1) Fast electronic switch  
2) Non-inductive Resistor  
3) Fast recovery rectifier  
Figure 2: Resistive Load Switching Test Circuit.  
1) Fast electronic switch  
2) Non-inductive Resistor  
5/8  
ST13005 / STB13005-1  
TO-220 MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
TYP.  
DIM.  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
4.60  
1.32  
2.72  
MIN.  
0.173  
0.048  
0.094  
MAX.  
0.181  
0.051  
0.107  
A
C
4.40  
1.23  
2.40  
D
D1  
E
1.27  
0.050  
0.49  
0.61  
1.14  
1.14  
4.95  
2.4  
0.70  
0.88  
1.70  
1.70  
5.15  
2.7  
0.019  
0.024  
0.044  
0.044  
0.194  
0.094  
0.393  
0.027  
0.034  
0.067  
0.067  
0.203  
0.106  
0.409  
F
F1  
F2  
G
G1  
H2  
L2  
L4  
L5  
L6  
L7  
L9  
DIA.  
10.0  
10.40  
16.4  
0.645  
13.0  
2.65  
15.25  
6.2  
14.0  
2.95  
15.75  
6.6  
0.511  
0.104  
0.600  
0.244  
0.137  
0.147  
0.551  
0.116  
0.620  
0.260  
0.154  
0.151  
3.5  
3.93  
3.85  
3.75  
P011C  
6/8  
ST13005 / STB13005-1  
2
TO-262 (I PAK) MECHANICAL DATA  
mm  
inch  
DIM.  
MIN.  
4.4  
TYP.  
MAX.  
4.6  
MIN.  
0.173  
0.098  
0.027  
0.044  
0.017  
0.048  
0.352  
0.094  
0.393  
0.515  
0.137  
0.050  
TYP.  
MAX.  
0.181  
0.106  
0.036  
0.067  
0.023  
0.053  
0.368  
0.106  
0.409  
0.531  
0.149  
0.055  
A
A1  
B
2.49  
0.7  
2.69  
0.93  
1.7  
B2  
C
1.14  
0.45  
1.23  
8.95  
2.4  
0.6  
C2  
D
1.36  
9.35  
2.7  
e
E
10  
10.4  
13.6  
3.78  
1.4  
L
13.1  
3.48  
1.27  
L1  
L2  
L1  
L2  
D
L
P011P5/E  
7/8  
ST13005 / STB13005-1  
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.
8/8  
配单直通车
ST13005产品参数
型号:ST13005
Brand Name:STMicroelectronics
生命周期:Active
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:TO-220AB
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:1.08
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):8
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:75 W
最大功率耗散 (Abs):75 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4 MHz
VCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1
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