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ST25E64B1产品参数
型号:ST25E64B1
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:STMICROELECTRONICS
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3
针数:8
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.89
Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz
数据保留时间-最小值:40
耐久性:100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDR
JESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0
长度:9.55 mm
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:8
字数:8192 words
字数代码:8000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:8KX8
输出特性:OPEN-DRAIN
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.9 mm
串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.000005 A
子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.001 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms
写保护:HARDWARE
Base Number Matches:1
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