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STB10NK60Z-1产品参数和技术文档

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STB10NK60Z-1产品参考价格

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1.57579
$1,575.79

STB10NK60Z-1产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 115W(Tc) I2PAK

制造商:STMicroelectronics

系列:SuperMESH™

包装:管件

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):750 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):70nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1370pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):115W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I2PAK

封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装:50

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