STD10N60M2产品参数

品牌：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V DPAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK

制造商：STMicroelectronics

系列：MDmesh™ II Plus

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：13.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：400pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：85W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

其它名称：497-13937-2 STD10N60M2-ND