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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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STD10N60M2产品参数和技术文档

STD10N60M2产品图

STD10N60M2产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.77280
$1,932.00

STD10N60M2产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 85W(Tc) DPAK

制造商:STMicroelectronics

系列:MDmesh™ II Plus

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):13.5nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):400pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):85W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:497-13937-2 STD10N60M2-ND

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