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STD12NF06-1产品参数和技术文档

STD12NE06-TR产品图

STD12NF06-1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
3,000
0.76153
$2,284.59

STD12NF06-1产品参数

品牌:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Tc) 30W(Tc) I-PAK

制造商:STMicroelectronics

系列:STripFET™ II

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):315pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):30W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:I-PAK

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装:75

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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